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同步整流应用和调试注意事项

发表时间: 2022-06-01 00:00:00

作者: 深圳市芯茂微电子有限公司

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芯茂微电子的同步整流芯片覆盖40V,45V,60V,80V,100V,120V、150V、200V 的应用;批量量产的有各种分立同步整流驱动芯片,也有种类齐全的

芯茂微电子的同步整流芯片覆盖40V,45V,60V,80V,100V,120V、150V、200V 的应用;批量量产的有各种分立同步整流驱动芯片,也有种类齐全的合封MOS 的同步整流IC 供客户选用。


同步整流芯片从控制原理上分为两类:***类属于电流/电压检测型,也就是芯片通过检测同步整流MOS 的Vds 电压来判断是否需要打开/关闭同步MOS,比如LP35118。第二类属于时序+电压检测混合型,芯片不但通过检测同步MOS 的Vds 电压,还要检测同步MOS Vds 的边沿并预测下一次MOS 的Vds 边沿,共同来决定同步MOS 的开关时刻,比如LP55135。


●应用要点一:关注同步整流芯片Tonmin 参数,防止原副边直通。


为了提升芯片的抗干扰能力,防止同步整流管在开通后,因为原边漏感引起的Ring 振铃导致错误关断,造成同步效率偏低的问题,同步整流芯片都会设置一个Ton_min。如下图:



这个时间的含义是:同步整流管一旦开通,在这个Tonmin 时间内,是不会关断的。那么,为了防止原边的高压开关MOS 和副边的同步整流管直通(同时出现导通的状态),则要求原边的高压MOS 在关断以后Toff时,在Tonmin 时间内***不能开通。否则就会出现下图的现象:


         


原边Toff 的时间<同步Tonmin 时间,导致原副边直通,导致同步Vds 应力高,甚至炸机。


★ 该案例为某客户12V2A 产品, 使用我司lp3588bs,Toff 时间太小导致直通,同步MOS 损坏。


防止这种问题的发生的措施:

1、查阅datasheet,准确了解您选用的同步的Tonmin 时间,选择最大占空比Duty_max 较小的主控,确保最小Toff 时间大于同步的Tonmin 时间,还要保留一定的裕量。

2、选择带输入欠压保护的主控:欠压保护电路可以防止芯片的工作占空比过大而导致Toff 过小。

3、一定要测试同步整流管的Vds 波形:在关机、开机、短路、动态负载、负载跃迁时,确保应力满足规格要求。


版本记录:

                  日期                                      版本                              升级内容                                 编制
           2021-11-29                                      V1.0新制定:关注同步Ton_min,防止原副边共通                                  liuk

























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