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TECHNICAL KNOWLEDGE


08

2024

-

04

芯茂微高频QR-LP8842-LP88Gxx调试和计算指南

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作为⽐较成熟的第三代半导体材料,氮化镓(GaN)功率器件基于其极快的开关速度,优秀的导通阻抗,以及极低的开关损耗,可以使 Flyback 拓扑的⼯作频率提升到 200kHz以上,在缩减电源体积的同时能够提升电源的转换效率;因此 GaN 在 Flyback 拓扑的快充产品上得到了⼴泛的应⽤。

作为⽐较成熟的第三代半导体材料,氮化镓(GaN)功率器件基于其极快的开关速度,优秀的导通阻抗,以及极低的开关损耗,可以使 Flyback 拓扑的⼯作频率提升到 200kHz以上,在缩减电源体积的同时能够提升电源的转换效率;因此 GaN 在 Flyback 拓扑的快充产品上得到了⼴泛的应⽤。 
要完全发挥出 GaN 的优良特性,优秀的电源管理芯⽚(PMIC)是关键。电源管理芯⽚要同时实现⾼频率、⾼效率的要求,还要使电源在全负载条件下稳定⼯作⽆噪⾳。 
芯茂微第⼆代⾼频氮化镓控制芯⽚ LP8842DC 系列产品,专⻔为氮化镓的特性进⾏了优化设计。该型号芯⽚⼯作在 QR 模式,⼯作频率范围 25kHz~390kHz,并具有⾕底锁定开通模式。内置 HV 启动和 X 电容放电功能,极轻载下⼯作在“软跳频”模式功耗低⽽且噪⾳⼩;另外芯⽚内置输出电流感应和计算单元,⽆需复杂的补偿计算就可以准确控制电源的输出过流点。 
另外,芯⽚还具有丰富的保护功能,根据保护后动作的不同,分为:

 

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